国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地开工

1月4日，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地开工建设。苏州工业园区党工委委员、管委会副主任倪乾出席活动。

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地首期占地105亩，总建筑面积超20万平方米，总投资超18亿元，带动投资预计超50亿元，计划于2023年12月底竣工。

倪乾在致辞中表示，国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地，是园区推动“一区两中心”建设的重大布局，对于加速提升园区第三代半导体产业核心竞争力、打造优势产业集群具有重要意义。

近年来，苏州工业园区多年来始终聚焦国家战略需要，全力构建产业创新生态，在上游衬底及外延材料、中游芯片器件、下游封装测试及集成应用等领域，培育了纳维科技、晶湛半导体、汉天下、东微半导体、镭明激光等一批领军企业，形成了以“产品设计-晶圆制造-封装测试”为核心，以关键设备、原材料、产业服务为支撑的半导体产业链，在射频微波、功率器件、新型显示等细分领域拥有坚实的产业基础，涌现出一批重大创新成果，部分关键核心技术在国际上处于并跑、甚至领跑状态，高端人才、从业人员总量均居全国首位。

国家第三代半导体技术创新中心研发与产业化基地包括国家第三代半导体技术创新中心，以及汉天下研发中心、东微半导体总部和镭明激光总部等部分定建企业，将布局建设符合第三代半导体创新的3万平方米高标准洁净厂房，以及化学品库、废水处理站、110千伏电站等配套设施，8英寸BAW（体声波）滤波器及射频模组生产线，半导体高端激光研究中心，晶圆与器件性能测试研发工程中心，建成后将加速推动第三代半导体材料、设备，以及研发、设计、生产、量产、封装测试等创新链企业集聚发展，辐射集聚50到100家企业，有力支撑第三代半导体技术关键技术攻关和科技成果转化。

科教创新区紧密围绕生物医药、人工智能、纳米技术应用和数字经济“3+1”核心产业，加速引进优质项目和创新资源，持续抓牢重点项目，全面强化要素保障，加快推动“一区两中心”建设，为实现高质量发展蓄能发力。

编辑 卢征

2022年1月5日