核心技术在手 “小晶圆”释放大能量

在位于苏州工业园区的苏州汉骅半导体有限公司生产车间里，企业自主研发的高端8英寸RGBMicro-LED硅基氮化镓外延材料产品生产线正在“火力全开”，这些氮化镓外延材料产品将为高端显示在亮度、色彩等方面带来颠覆性突破。

氮化镓外延片是第三代半导体的核心基础材料。作为国内为数不多的掌握第三代半导体关键材料的公司，汉骅研发团队的核心技术人员均来自顶级半导体企业，具有10多年第三代半导体研发及管理经验，掌握关键材料的研发及制备等核心技术。

“创业之初，市场上没有可对标的公司，项目又处于PPT阶段，风险较高；有些投资机构虽然看好前景，但要求控股占比达到60%以上，我们不想一开始就失去控制权。”苏州汉骅半导体首席执行官顾星回忆。幸运的是，江苏省产业技术研究院的“拨投结合”机制“雪中送炭”。

2017年11月，团队核心成员到苏州工业园区创业，江苏产研院与苏州工业园区共同投资超过1亿元，成立苏州汉骅半导体有限公司，成功开发了4英寸碳化硅基氮化镓射频外延片并实现产业化，产品性能指标世界领先。

“早期需要不停地投入大量的研发费用，整个回报周期会比较长，在‘拨投结合’的创新模式下，我们的团队不仅拿到了第一笔资金，整个团队还保持了主导权，积极性和能动性就大大提高了。”顾星感叹。目前，苏州汉骅半导体已建成年产30万片且兼容4、6、8英寸的氮化镓高端外延材料的平台，也是目前国内最大的独立氮化镓外延材料生产基地。2023年，苏州汉骅再次投资数亿元，国内首条晶圆级异质混合集成量产产线通线。同年，使用独创的3DIC混合集成技术点亮世界上最小的微显示芯片。

记者 张宣

《新华日报》2025年3月4日第T03版